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加速LTE-A 5G设计 射频LNA PA需要暴发

时间:2013/10/26 7:36:46 点击:

  核心提示:转自台湾新电子的新闻,射频窗锁元件需要急速增加。进步长程演进规划商转启动,下一代5g尺度亦蓄势待发,驱动移动安装射频系统规格进级。系统厂为增援100mhz超大频宽、四十个以上频段并下降杂讯烦扰,除 打...
转自台湾新电子的新闻,射频窗锁元件需要急速增加。进步长程演进规划商转启动,下一代5g尺度亦蓄势待发,驱动移动安装射频系统规格进级。系统厂为增援100mhz超大频宽、四十个以上频段并下降杂讯烦扰,除 打算抽屉锁增添低杂讯放大器和功率放大器等射频元件用量外,亦将请求射频前端模组提高功效整合度,吸引芯片商加紧开展卡位。
英飞凌电源治理及多元电子事业处射频暨维护元件协理麦正奇表现,跟着多频多模lte及ltea设计加温,手机厂对fam各类元 件如pa、lna、开关跟滤波器等需要皆显着攀升,进而鼓励矽锗碳、砷化镓跟互补式金属氧 化部半导体射频元件供储物盒给商士气大振,正接踵投入开发新产品。
据悉,除美、日和韩全面启动lte商转外,中国大陆亦可望于今年下半年发出4g执照,加速tdlte营运,而台湾也可望于年底顺利发照,让lte进 入高速成长期,并朝国际周游与可向下相容2g/3g的多频多模规格发展。不仅如斯,南韩、美国电信商近期更进一步点燃ltea商转战火。
跟着挪动通信技巧一直 加料 ;挪动安装射频fam也须在有限空间内导入高整合设计。目前多频多模lte手机须援助十多少个频段,搭载pa、lna和射 频开关数目皆较3g手机倍增,其中pa需七至八颗、lna和开关则需二十到三十颗;将来手机迈向更高速、频宽更大且应用频段更多元的ltea和5g,射 频元件用量更将三级跳,驱动芯片商进步产品整合度,以缩减占位空间及功耗。
麦正奇剖析,传统砷化镓射频计划受限于制程特别性,难与其余体系零组件整合,因而芯片商正猛踩油门推动新一代制程与封装技巧。如英飞凌主攻矽锗碳资料 制程,并搭配小型晶圆级封装计划,打造高效力、高整合度且声援高频切换的单晶微波积体电路lna;而高通亦推 出cmos pa,透过cmos制程整合更多周边元件。
麦正奇流露,矽锗碳在射频机能、品德和牢靠度表示方面皆可媲美砷化镓,且更轻易整合cmos射频开关或其余零组件;因而,这多少年矽锗碳元件出货量暴 冲,在mmic lna市场的浸透率已与砷化镓元件相称。近期,英飞凌矽锗碳mmic lna更顺利打进联发科多频多模lte公板倡议清单,可望在今年底至明年持续进步市场占领率。
至于pa局部,麦正奇以为,其主掌射频讯号发送须更高功率与稳固度,目前仍以资料特征较佳的砷化镓方案为主,但cmos pa挟本钱和功效整合度上风,将来则可望在低阶手机市场突起。端子排此外,英飞凌亦已将矽锗碳lna加pa的系统封装或单芯片整合方案列入下一代产品 蓝图,有助手机厂统保险丝盒筹射频机能与体系体积。
不外,因为ltea与5g规格尚未完整底定,业界亦传出手机厂为到达高速高传输效力,必需舍弃整合型射频方案转向分别式设计;对此,麦正奇回 应,目前确切有射频芯片商投入研讨更前瞻的氮化镓制程,并以外挂方法晋升射频系统功能,然而元件整合一贯是产品降价和省电的要害,因此仍须等通 讯标准定论后,才干依规格需求找出最佳的设计均衡点。

作者:不详 来源:网络
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